Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://er.knutd.edu.ua/handle/123456789/14734
Повний запис метаданих
Поле DC | Значення | Мова |
---|---|---|
dc.contributor.author | Захарченко, В. Д. | uk |
dc.contributor.author | Радецький, А. Ю. | uk |
dc.contributor.author | Швайченко, В. Б. | uk |
dc.date.accessioned | 2019-12-18T21:20:59Z | - |
dc.date.available | 2019-12-18T21:20:59Z | - |
dc.date.issued | 2019 | |
dc.identifier.citation | Захарченко В. Д. Розробка електронної системи запису та зчитування інформації, що міститься в масиві статичної пам’яті, побудованої на основі комплементарної метал-оксид напівпровідник технології [Електронний ресурс] / В. Д. Захарченко, А. Ю. Радецький, В. Б. Швайченко // Технології та дизайн. - 2019. - № 3 (32). - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/td_2019_3_6. | uk |
dc.identifier.issn | 2304-2605 | |
dc.identifier.uri | http://nbuv.gov.ua/UJRN/td_2019_3_6 | |
dc.identifier.uri | https://er.knutd.edu.ua/handle/123456789/14734 | - |
dc.description.abstract | Обґрунтовано доцільність використання додаткових підсистем в системах запису та зчитування; розроблено топологічні креслення систем, з урахуванням новітніх технологій виробництва однокристальних інтегральних мікросхем; розроблено систему, що ілюструє основні операції в статичній пам’яті. Удосконалено системи обробки інформації в статичній пам’яті шляхом включення в систему допоміжних блоків, що сприяло підвищенню швидкодії систем. Запропоновано топологічні креслення систем на базі сучасної технології виробництва. Отримані результати мають потенціал для використання в розробці однокристальних мікросхем. Фізична реалізація отриманих рішень може бути використана в навчальних цілях. | uk |
dc.description.abstract | Обоснована целесообразность использования дополнительных подсистем в системах записи и считывания; разработаны топологические чертежи систем, с учетом новейших технологий производства однокристальных интегральных микросхем; разработана система, иллюстрирующая основные операции в статической памяти. Усовершенствованы системы обработки информации в статической памяти путем включения в систему вспомогательных блоков, что способствовало повышению быстродействия систем. Предложены топологические чертежи систем на базе современной технологии производства. Полученные результаты имеют потенциал для использования в разработке однокристальных микросхем. Физическая реализация полученных решений может быть использована в учебных целях. | ru |
dc.description.abstract | Synthesis of information processing systems in static memory by analyzing processes in electrical circuits of systems and using computer simulation. The expediency of using additional subsystems in recording and reading systems is substantiated; developed topological drawings of systems, taking into account the latest technologies for the production of single-chip integrated circuits; developed a system illustrating the basic operations in static memory. The systems for processing information in static memory have been improved by including auxiliary units in the system, which has contributed to increasing the speed of the systems. Topological drawings of systems based on modern production technology are proposed. The results obtained have the potential for use in the development of single-chip microcircuits. The physical implementation of the obtained solutions can be used for educational purposes. | en |
dc.language | uk | |
dc.subject | імітаційна модель | uk |
dc.subject | комплементарний метал-оксид-напівпровідниковий транзистор | uk |
dc.subject | система запису та зчитування інформації | uk |
dc.subject | статична пам’ять з довільним доступом | uk |
dc.subject | имитационная модель | ru |
dc.subject | комплементарный металл-оксид-полупроводниковый транзистор | ru |
dc.subject | система записи и считывания информации | ru |
dc.subject | статическая память с произвольным доступом | ru |
dc.subject | complementary metal oxide semiconductor transistor | en |
dc.subject | information reading and recording system | en |
dc.subject | simulation model | en |
dc.subject | static random access memory | en |
dc.title | Розробка електронної системи запису та зчитування інформації, що міститься в масиві статичної пам’яті, побудованої на основі комплементарної метал-оксид напівпровідник технології | uk |
dc.title.alternative | Development of electronic system for recording and reading information which is contained in array of static memory, which is built on the basis of a complementary metal-oxide semiconductor technology | |
dc.title.alternative | Разработка электронной системы записи и считывания информации, содержащейся в массиве статической памяти, построенной на основе комплементарной металл-оксид полупроводник технологии | |
dc.type | Article | |
local.contributor.altauthor | Радецкий, А. Ю. | ru |
local.contributor.altauthor | Zakharchenko, V. D. | en |
local.contributor.altauthor | Radetsky, A. Y. | en |
local.contributor.altauthor | Shvaichenko, V. B. | en |
local.subject.section | Мехатроніка, комп'ютерна інженерія та метрологія | uk |
local.source | Технології та дизайн | uk |
local.source.number | № 3 (32) | uk |
local.subject.method | 0 | |
Розташовується у зібраннях: | Електронний науковий журнал «Технології та дизайн» Наукові публікації (статті) Кафедра комп'ютерної інженерії та електромеханіки (КІЕМ) |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
td_2019_N3_06.pdf | 866,52 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.